ボディーコントロール回路を用いた低電圧/低消費電力SOI-DRAM
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概要
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SOI-DRAMは、ボディーフローティングであるため、そのことがメモリセルのリフレッシュ特性を悪化させる。今回提案するボディリフレッシュ法は、メモリセルトランジスタのサプリーク電流の増加を抑制しデータ保持時間の改善を実現できる方法である。また、ボディーのバイアスを変化させて低電圧で高速動作可能なセンスアンブであるスーパーボディシンクロセンス、および周辺回路に適用可能な高速手法を紹介する。低電圧/低消費電力SOI-DRAMを実現するためには、これらの技術が不可欠であると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-18
著者
-
有本 和民
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
森下 玄
三菱電機ULSI開発研究所
-
森下 玄
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
天野 照彦
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
久家 重博
三菱電機(株) ULSI開発研究所
-
森下 玄
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
久家 重博
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
冨嶋 茂樹
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
久家 重博
三菱電機 Ulsi技開セ
-
天野 照彦
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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