自動内部電源振幅制御データ保持モードを有する低消費電力DRAM
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概要
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最近、携帯用電子機器のめざましい発展に伴い、低消費電力DRAMの要求が強くなされている。特にデータを保持する期間に消費される電流をいかに小さくできるかがこの低消費電力DRAMの開発において重要なポイントとなっている。このデータ保持電流を削減する技術として、我々はデータ保持時間の改善に効果のあるBSG方式とVDC回路とを組み合わせて、バンプ問題を発生させずさらに外部からの電源電圧制御も必要としないOn-Chip自動内部電源振幅制御方式による低消費電流のデータ保持モードを新たに提案した。またこの方式を採用したテストチップを試作した結果、従来の1, 10以下のデータ保持電流が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-15
著者
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
鶴田 孝弘
三菱電機ULSI開発研究所
-
広瀬 正和
大王電機
-
広瀬 正和
大王電機株式会社
-
鶴田 孝弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
冨嶋 茂樹
三菱電機ULSI開発研究所
-
築出 正樹
三菱電機ULSI開発研究所
-
久家 重博
三菱電機(株) ULSI開発研究所
-
冨嶋 茂樹
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
久家 重博
三菱電機ULSI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機ULSI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機ulsi技術開発センター
-
久家 重博
三菱電機 Ulsi技開セ
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