築出 正樹 | 三菱電機ULSI開発研究所
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概要
関連著者
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有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
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築出 正樹
三菱電機ULSI開発研究所
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有本 和民
立命館大学理工学部
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木下 充矢
三菱電機ULSI開発研究所
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谷崎 哲志
三菱電機ULSI開発研究所
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藤野 毅
三菱電機ULSI開発研究所
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木下 充矢
(株)ルネサステクノロジ
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谷崎 哲志
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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鶴田 孝弘
三菱電機ULSI開発研究所
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鶴田 孝弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
著作論文
- 昇圧センスグランド方式を採用した256Mbit DRAM
- 自動内部電源振幅制御データ保持モードを有する低消費電力DRAM
- データ保持電流低減に適した256Mb DRAMアレイアーキテクチャ
- データ保持電流低減に適した256Mb DRAMアレイアーキテクチャ
- データ保持電流低減に適した256Mb DRAMアレイアーキテクチャ