昇圧センスグランド方式を採用した256Mbit DRAM
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概要
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DRAMメモリセルのリフレッシュ特性を左右する要因として、2つのリーク経路がある。従来のセンス方式では、一方を改善すれば他方が悪化し、それぞれの改善策は両立しない。そこで、これらのリークを一度に両方改善できる回路技術として、昇圧センスグランド(BSG)方式を採用した。リフレッシュ時間を測定した結果、ファーストフェイルのビットが現われるまでの時間は、従来方式と比べてBSG方式の方が2倍改善する効果を確認した。また、ビット線ペアの電位差が1Vとなるまでのセンス時間は従来方式より1.2ns高速であることが確認できた。次に、チップサイズを消減するため、階層ビット線構成を256Mbit DRAMに適用し、センスアンプの数を従来メモリアレイ構成の4分の1に減らした。よって、0.6μmX1.2μmのセルサイズで13.32mmX22.84mmという小さなチップサイズを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-27
著者
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
鶴田 孝弘
三菱電機ULSI開発研究所
-
藤島 一康
三菱電機北伊丹製作所
-
鶴田 孝弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
藤島 一康
三菱電機システムlsi事業化推進センター
-
朝倉 幹雄
三菱電機株式会社 ULSI開発研究所
-
冨嶋 茂樹
三菱電機ULSI開発研究所
-
朝倉 幹雄
三菱電機ULSI開発研究所
-
築出 正樹
三菱電機ULSI開発研究所
-
冨嶋 茂樹
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
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