Slightly Boostingを用いた5.3GB/sロジック混載用SDRAMコアの開発
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概要
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システムLSIの性能向上のためには、用いられるトランジスタの特性を改善することが重要である。今回ロジック混載用DRAMにおいて、ワード線昇圧レベルV_PPを外部電源電圧レベルV_CC程度まで下げる設計手法(slightly boosting)を提案し、トランジスタのtoxを薄くして高性能化を図った。これによりロジック混載用SDRAMコアを開発し、166MHzでRASレイテンシ4サイクルのアクセスを確認した。またグラフィックス応用に有利なブロックライト機能、DRAMコアのテスト容易化のために搭載したテスト回路についても照介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-19
著者
-
野田 英行
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
-
有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
山崎 彰
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
山崎 彰
三菱電機ULSI開発研究所
-
林 勇
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
山形 整人
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機ULSI開発研究所
-
山崎 彰
三菱電機 Ulsi技開セ
-
野田 英行
三菱電機ULSI技術開発センター
-
林 勇
三菱電機ULSI技術開発センター
-
山田 通裕
三菱電機ULSI技術開発センター
-
山形 整人
三菱電機ulsi技術開発センター
-
山田 通裕
三菱電機 Ulsi技開セ
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