3Dグラフィックスに適したRead/Write同時動作が可能な0.18um混載DRAMマクロ
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概要
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3Dグラフィックスコントローラに用いられるロジック混載DRAMでは、非常に高いデータレートが要求される。今回、デュアルポートセンスアップ、I / O線スペア置換方式のコラムリダンダンシー等の設計技術を用いて、混載DRAMマクロを高速化する設計手法を紹介する。これらの手法を用いて200MHz以上でCASレイテンシ2サイクルのアクセスが可能な混載DRAMマクロを試作した。またデュアルポートセンスアップの採用により、1サイクル内でのRead / Write同時動作が可能となり、実効的なデータレートが大幅に向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-05
著者
-
野田 英行
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
-
有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
-
有本 和民
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
藤野 毅
三菱電機(株) ULSI研究所
-
渡邊 直也
株式会社ルネサステクノロジ
-
野田 英行
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
山崎 彰
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
林 勇
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
渡邊 直也
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
尾崎 英之
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
林 勇
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
山崎 彰
三菱電機 Ulsi技開セ
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