ギガスケールDRAMのための低電圧回路技術
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概要
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ギガスケールDRAMやバッテリ駆動のDRAMに向けての低電圧回路技術について述べる。高速センスのための"電荷転送型ウェルセンス方式"、高速回路動作とデータ保持電流の低減を両立させる"レベル制御型ローカル電源構成"、及びリフレッシュ特性や信頼性向上のための"負電圧ワード線方式"について述べる。これらの技術と0.4μmのCMOSプロセスを用いて試作した16Mbit-DRAMについて報告する。1.2Vの電源電圧でアクセスタイム49nsの実験結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
有本 和民
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
鶴田 孝弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
橋詰 靖之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
築出 正樹
三菱電機(株) ULSI開発研究所
-
冨嶋 茂樹
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
冨嶋 茂樹
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
橋詰 靖之
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
山形 整人
三菱電機ulsi技術開発センター
-
冨嶋 茂樹
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
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