ボディ制御技術を採用した1V 46ns 16Mbit SOI-DRAMの設計技術
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概要
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SOIトランジスタの動作モード遷移を利用して1Vで46nsのRASアクセス時間を実現した16Mbit SOI-DRAMの設計技術を報告する.SOIデバイスは,本来低電圧・低消資電力向きの特性を備えている.さらに今回開発したデバイスでは,デバイス構造を最適化することによって,ダイナミックなボディ電位制御によりトランジスタの動作モードを完全空乏と部分空乏の間で切り替えることを可能とした.この動作モード遷移を,周辺ロジック回路だけでなくセンスアンプなどのアナログ回路系にも適用することにより,46nsの高速アクセス時間を達成することができた.1Vという低電圧で,現在広く用いられているDRAMと同等のアクセス時間を保ち,低電圧・低消費電力特性を高めたことにより,次世代の携帯情報機器などの応用分野への適用を可能とした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-22
著者
-
島野 裕樹
立命館大学大学院理工学研究科
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
有本 和民
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
島野 裕樹
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
山口 泰男
三菱電機(株)
-
大芦 敏行
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
下邨 研一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
坂下 徳美
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
奥田 文宏
(株)エルテック
-
有本 和民
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
小守 伸史
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
久間 和生
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
小守 伸史
三菱電機(株)
-
山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
久間 和生
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
久間 和生
三菱電機株式会社 システムlsi事業統括部
-
坂下 徳美
三菱電機株式会社システムLSI事業統括部
-
山口 泰男
三菱電機 Ulsi開研
-
久間 和生
三菱電機(株)
-
下邨 研一
三菱電機株式会社
-
坂下 徳美
三菱電機(株)システムLSI事業統括部
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