デュアルオフセット構造を有する135GHzf_<max>SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
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概要
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オフセット構造と低抵抗のコバルトシリサイド技術を用い、最大発振周波数(f_<max>)において135GHzのRF性能を実現した。オフセット構造は、V_<th>マッチングも改善できる。高周波アナログ混載回路において、高周波アナログ部・ロジック部の両方の性能を向上させる構造として、デュアルオフセット構造を提案した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-15
著者
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
前川 繁登
三菱電機(株)LSI研究所
-
平野 有一
三菱電機(株)
-
前田 茂伸
三菱電機(株)
-
松本 拓治
三菱電機(株)
-
岩松 俊明
三菱電機(株)
-
山口 泰男
三菱電機(株)
-
一法師 隆志
三菱電機(株)
-
犬石 昌秀
三菱電機(株)
-
井上 靖朗
三菱電機(株)
-
佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
前田 茂伸
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
-
平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
-
岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
太田 和伸
ソニー株式会社
-
太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
永久 克巳
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
山本 和也
三菱電機システムLSI事業統括センター
-
加藤 隆幸
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
尾田 秀一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
加藤 隆幸
三菱電機
-
前田 茂伸
Ulsi開発センター
-
佐山 弘和
三菱電機(株)
-
前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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