無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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本報告では,無線通信用に新しく検討したGaAs-HBT RF電力検波器の回路設計と実験結果について述べる.本検波器は,従来のダイオード検波器が有する二乗検波特性と異なり,対数近似特性を有すること及び検波電圧の周波数依存性が小さいことを特徴する.また本検波器は,高い入力電圧感度を有するので,電圧振幅変化が小さい,HBT電力増幅器の増幅段のベース端子近傍においても検波動作可能である.上記特徴を有する本検波器はカレントミラー回路を検波部の基本回路構成として用いているため,通常のHBT-MMIC電力増幅器と共に容易に集積化できる. GaAs-HBTプロセスを用いて,1段電力増幅器に集積化した3.5GHz帯電力検波器を設計・試作した.そのプロトタイプの実験結果は次の通りである.線形利得10.1dB,P1dB=24.3dBmの電力増幅器に組み込んだ検波器の検波電圧範囲,最大検波感度は,周波数3.5GHz,出力電力2〜22dBmに対して0.4〜2.5V,0.17V/dB以下である.また3.1〜3.9GHzの広い周波数範囲に対する検波電圧の最大偏差は,50mV以下と小さい.この偏差は,従来のコレクタ端子モニタ型のダイオード検波器が持つ偏差の1/7以下である,2.85Vレファレンス電圧時の本検波器の消費電流は1.8mAである.
- 2008-01-09
著者
-
山本 和也
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
宮下 美代
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
小川 喜之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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