レジスティブミクサの動作解析
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概要
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レジスティブミクサの動作解析およびInP HEMTを用いた低局部発振電力で動作可能なV帯モノリシックレジスティブミクサの試作結果について述べる. FETのチャネルコンダクタンスをゲートバイアスによる線形関数で近似することで動作解析を行っている. 計算結果からミクサ動作に必要なLO電力はゲートバイアス電圧により決定し, ゲート電圧に対してチャネルコンダクタンスが急峻な変化を示すデバイスが低LO電力でミクサ動作させるのに適している結果が得られた. また, 変換損失の最小値はチャネルコンダクタンスの飽和値で決定される. ゲートバイアスに対して急峻な変化を示すゲート長0.15μm-InP HEMTを用いてV帯においてモノリシックレジスティブミクサを試作した. レジスティブミクサは-2dBmという受動ミクサでは極めて低い局部発振電力にも関わらず, RF周波数55GHz, LO周波数54.5GHzにおいて8.4dBという良好な変換損失を示した. また,解析結果と実験結果は良い一致を示し, 解析結果の妥当性が得られた. また, 提案したモデルは精度良く, 簡便に変換損失を計算することが可能である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-27
著者
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
山本 和也
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
石川 高英
三菱電機
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
中山 喜萬
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
中山 喜萬
大阪大学大学院 工学研究科
-
中山 喜萬
大阪府立大学工学部物理工学科
-
加藤 隆幸
三菱電機
-
中山 喜萬
大阪府立大学大学院工学研究科
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