圧電体の面積を縮小したGHz帯薄膜バルク超音波フィルタ
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概要
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半導体基板上に圧電薄膜を構成した薄膜バルク超音波共振器やフィルタは, GHz帯での動作が可能であり, 半導体素子との一体化も可能であるため, 近年さかんに研究されている. 従来から圧電膜として, 酸化亜鉛や窒化アルミニウムが広く用いられている. これに対し, Pb系圧電セラミクスは大きな電気機械結合係数が期待できるので, 薄膜バルク超音波共振器の材料として有望である. しかし, 半導体基板上にチタン酸鉛薄膜を用いて薄膜バルク超音波フィルタを試作したところ, 圧電体に大きな変形があった. これを低減するため, 圧電体面積を縮小したフィルタを試作したので, その試作結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
永塚 勉
三菱電機株式会社
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
三須 幸一郎
三菱電機(株)
-
三須 幸一郎
三菱電機株式会社
-
山田 朗
三菱電機株式会社
-
前田 智佐子
三菱電機株式会社
-
石川 高英
三菱電機
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
永塚 勉
三菱電機
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