高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高調波負荷を最適化することで高出力化を図ったW帯2倍波発振器を報告する。エミッタサイズ160μm^2のInGaP HBTを使用したW帯2倍波発振器において、最大出力電力が得られるようにトランジスタの各端子から見た2倍波負荷インピーダンスをそれらの相関を考慮して最適化した。シミュレーションを用いた検討の結果、ベース側2倍波負荷がショートのときに2倍波出力電力が最大となることが分かった。本結果は、筆者らが先に報告した回路解析から導出した最適条件と良く一致している。実験的に出力電力の向上を確認するために、2倍波負荷を最適化したMMIC発振器を試作した結果、2倍波周波数76.4GHz、2倍波出力電力7.5dBm、位相雑音-108dBc/Hz(1MHz離調)という良好な特性が得られた。得られた出力電力は、同時に試作した最適化負荷でない発振器に比べ、少なくとも1.4dB以上高く、シミュレーション結果の妥当性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
渡辺 伸介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
-
石川 高英
三菱電機
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
天清 宗山
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
渡辺 伸介
三菱電機株式会社
-
松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
松塚 隆之
三菱電機株式会社
関連論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (光エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (フォトニックネットワーク)
- C-4-25 100Gb/sイーサネット用1.3μm帯25Gb/s EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 引張り歪非対称量子井戸構造43Gbit/sEA変調器集積DFB-LDの40℃動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 11.1Gbps-80km伝送用セミクールドEAM-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77GHz MMIC VCO(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- V帯ドレイン注入 : レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析
- C-2-12 レジスティブミクサの動作解析
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-36 F級及び逆F級HBT電力増幅器におけるIM3解析(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- F級及び逆F級高周波増幅器の効率に関する研究(マイクロ波,ミリ波)
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-2-23 超広帯域高効率MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT (マイクロ波)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- Ka帯低雑音MMIC増幅器
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT (電子デバイス)
- 高調波負荷を最適化した高出力低位相雑音76GHz MMIC発振器(電子回路)
- 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-9 高調波負荷整合回路付きKa帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-3 94GHz 帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 電圧変換回路を用いた高リニアリティVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 電圧変換回路を用いた高リニアリティVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 圧電体の面積を縮小したGHz帯薄膜バルク超音波フィルタ
- チタン酸鉛を用いた薄膜バルク超音波フィルタ
- 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 単一電源動作K帯低雑音MMIC増幅器
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- Ka帯低雑音増幅器MMIC
- CS-3-2 アンクールドAlGaInAs系レーザの今後の展開(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- C-2-12 アクティブ共振回路を用いたKa帯高調波電圧制御発振器
- C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 HBT電力増幅器におけるアナログ方式***電流制御の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)