Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
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概要
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ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯pHEMT構造の高耐湿化を検討した。高出力FETのゲートバリア金属として使用されるWSi及びWSiNは耐湿性が低く、また低誘電率膜等の厚膜積層はゲート容量の増大をもたらす。これらを解決するため、今回我々は耐腐食性に優れるTaを使用したTaN/Auゲート構造、および防湿性に優れたCat-CVD法積層SiNx表面保護膜を適用したトランジスタを開発し、構造変更による特性劣化なく高湿保存1000時間後のId低下率が10%以下という高い耐湿性を確認した。開発トランジスタのKa帯パワー特性を評価した結果、Psat=0.8W/mm, Glp=8.5dB, PAE=40%(Vd=8V)と非常に良好な性能を確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-10
著者
-
天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
山本 佳嗣
三菱電機株式会社
-
山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
天清 宗山
三菱電機株式会社
-
天清 宗山
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
志賀 俊彦
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
戸塚 正裕
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
佐々木 肇
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
國井 徹郎
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
奥 友希
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機高周波光デバイス製作所
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