Cat-CVD法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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触媒化学気相成長(Cat-CVD)法により作製されたSiN_x膜は,基板温度300℃以下での低温製膜においても膜中水素量が少なく厳密性に優れ,膜応力も小さく半導体デバイスのみならず各種部材の保護膜として最適である.とりわけ,GaAsなどのプラズマ損傷を被りやすい化合物半導体デバイスの保護膜形成工程は,Cat-CVD法においてプラズマを使用しないことも,荷電粒子による損傷を回避できる点から大きな長所となりうる.本稿では,Cat-CVD法で作製したSiN_x膜の特性について述べた後,GaAs系セルフアラインゲート電界効果トランジスタ(SAGFET)ならびに高移動度トランジスタ(HEMT)の保護膜への適用事例について紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-05
著者
-
服部 亮
三菱電機
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
増田 淳
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
-
松村 英樹
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科
-
増田 淳
北陸先端大
-
戸塚 正裕
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
服部 亮
株式会社イオン工学研究所
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