ケミカル・スパッタリング法による巨大粒径poly-Si薄膜の作製
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概要
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現在のSi膜堆積は化学気相成長(CVD)法によるものが主流である。本研究では固体Siを水素原子によりエッチングし、その際のエッチング生成物SiH_nを化学輸送させることで基板上にSi膜の堆積を行う。本研究で用いた装置形状とスパッタリング法で用いられる装置形状との類似性から、本手法を「ケミカル・スパッタリング法」と名づけた。本手法により、(100)Si基板、Si表面に熱酸化膜を形成した熱酸化膜基板および石英基板上に堆積されたSi膜は、ラマン分光測定の結果よりa-Si相のない100%結晶化したpoly-Si膜であることが明らかとなった。また、SEM観察の結果、Si結晶粒の大きさは1μmを超えることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-20
著者
-
和泉 亮
北陸先端科学技術大学院大学
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
-
亀崎 浩司
北陸先端科学技術大学院大学
-
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
増田 淳
北陸先端大
-
増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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