反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長
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概要
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反応性スパッタ法により、Y組成を制御したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜をn-Si(100)基板上にヘテロエピタキシャル成長させ、その膜質を評価した。Y組成比2.3〜19.7at.%の堆積膜は、立方晶YSZ(100)/Si(100)構造で、また、Y組成比1.2at.%の堆積膜は、単斜晶(ZrO_2)_<1-x>(Y_2O_3)_x(100)/立方晶YSZ(100)/Si(100)構造でヘテロエピタキシャル成長していることがわかった。電気的特性を評価した結果、Y組成比を1.2at.%まで低減することにより、5Vでの漏れ電流が約10^<-7>A/cm^2と減少し、さらに、電気容量(C)-電圧(V)特性におけるイオンドリフトによるヒステリシス幅も狭くなり、特性の向上が見られた。なお、1MHzのC-V特性の蓄積容量から求めた堆積膜の比誘電率は、Y組成を9.4から1.2at.%へと減少させると、24から16へと低下した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-07
著者
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(現)産業技術総合研究所
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堀田 将
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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渡部 幹雄
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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成瀬 哲哉
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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増田 淳
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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Hayashi Shigenori
Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.
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堀井 將
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
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堀田 将
北陸先端科学技術大学院大学、材料科学研究科
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