HF+ヒドラジン溶液処理をしたエピタキシャル(100)ZrN/(100)Si構造上への(100)Ir薄膜の作製

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概要

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• スパッタリング法でエピタキシャルPZT/Ir/ZrN/Si構造のスタック型キャパシタ構造を作製するために、エピタキシャルZrN/Si基板上にIr薄膜を堆積したところ、ZrN薄膜は堆積チャンバー内の残留酸素やその化合物により酸化される。そこで、Irターゲット上に酸素ゲッタリング作用の強いZrペレットを配置し、高堆積レートでIr薄膜を堆積したところ、ZrN薄膜の酸化は抑制することができるが、Ir薄膜は(111)に配向した。そこで、Ir薄膜堆積直前に、ZrN薄膜にHF+ヒドラジン溶液処理を施し、その自然酸化膜を除去するとともに再酸化を防止することを試みたところ、高堆積レートにもかかわらず、Ir薄膜は(100)に強く配向した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-03-05

著者

• 堀田 将

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 堀田 將

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 堀井 貞義

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 戸田 猛夫

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• Hayashi Shigenori

  Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.

• 堀井 將

  北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科

• 堀井 貞義

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(株)日立国際電気

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