エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
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概要
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スパッタ法により(100)Si基板上にZrN、IrおよびPZT薄膜をそれぞれ順にヘテロエピタキシャル成長させ、その結晶性および電気的特性を評価した。IrおよびZrN薄膜は(100)に、PZT薄膜は(001)に、それぞれ下地に対しcube-on-cubeの関係でヘテロエピタキシャル成長していた。IrO_2上部電極を作製した膜厚300nmのPZT薄膜は5Vで良く飽和したヒステリス特性を示し、その残留分極2Prおよび抗電界2Ecはそれぞれ60uC/cm^2および80kV/cmであった。このPZT薄膜のPrは、±10Vのバイポーラパルスに対し、1×10^<10>まで疲労しなかった。リーク電流密度は、±5Vで2.5×10^<-7>A/cm^2以下であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-08
著者
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堀田 将
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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堀田 將
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
堀井 貞義
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
横山 政司
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
-
横山 政司
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
Hayashi Shigenori
Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.
-
堀井 將
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
-
堀井 貞義
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(株)日立国際電気
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