Increase of Dielectric Constant of an Epitaxial (100) Yttria-Stabilized Zirconia Film on (100) Si Substrate Deposited by Reactive Sputtering in the Metallic Mode : Surfaces, Interfaces, and Films
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2001-11-15
著者
-
堀田 将
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
Horita Susumu
School Of Materials Science Japan Advanced Institute Of Science And Technology
-
KUNIYA Takuji
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology
-
Kuniya T
School Of Materials Science Japan Advanced Institute Of Science And Technology
-
Kuniya Takuji
School Of Material Science Japan Advanced Institute Of Science And Technology
-
Hayashi Shigenori
Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.
-
堀井 將
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
関連論文
- 直線偏光Nd:YAGレーザーによる規則性配列微細Siドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- Periodic Grain-Boundary Formation in a Poly-Si Thin Film Crystallized by Linearly Polarized Nd: YAG Pulse Laser with an Oblique Incident Angle
- Analysis on Operation of a F-FET Memory With an Intermediate Electrode
- Increase of Dielectric Constant of an Epitaxial (100) Yttria-Stabilized Zirconia Film on (100) Si Substrate Deposited by Reactive Sputtering in the Metallic Mode : Surfaces, Interfaces, and Films
- Alignment of Grain Boundary in a Si film Crystallized by a Linearly Polarized Laser Beam on a Glass Substrate
- HF+ヒドラジン溶液処理をしたエピタキシャル(100)ZrN/(100)Si構造上への(100)Ir薄膜の作製
- 高コヒーレント直線偏光パルスレーザービームによる結晶化Si薄膜の粒界位置制御
- Low Temperature Heteroepitaxial Growth of a New Phase Lead Zirconate Titanate Film on Si Substrate with an Epitaxial(ZrO_2)_(Y_2O_3)_x Buffer Layer
- エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
- エピタキシャルZrN薄膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性