High pressure water vapor annealing for improving HfSiO dielectrics properties
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
High pressure water vapor annealing has been found to improve electrical properties of high-κ gate oxides. The short time vapor anneal was effective to improve the electrical properties, such as decreasing leakage current density or increasing capacitance density. We could confirm that the conduction mechanism changed from P-F to F-N type tunneling by the treatment. Increase of interfacial layer was not observed. This improvement is related to the active species, such as oxygen in the water vapor which can react with the unsaturated bonds in the bulk oxide film and dangling bonds at film interface state.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
堀田 将
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
Sameshima Toshiyuki
Tokyo University Of Agriculture And Technology
-
YANO Hiroshi
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
HATAYAMA Tomoaki
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
URAOKA Yukiharu
Nara Institute of Science and Technology
-
FUYUKI Takashi
Nara Institute of Science and Technology
-
Yano H
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
YANO Hiroshi
Nara Institute of Science and Technology
-
HATAYAMA Tomoaki
Nara Institute of Science and Technology
-
PUNCHAIPETCH Prakaipetch
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
Punchaipetch Prakaipetch
Nara Institute of Science and Technology
-
Nakamura Hideki
Nara Institute of Science and Technology
-
Horii Sadayoshi
Hitachi Kokusai Electric Inc.
-
Sameshima Toshiyuki
Tokyo A&t University
-
Horii Sadayoshi
Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.
-
Punchaipetch Prakaipetch
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
Fuyuki Takashi
Nara Inst. Sci. And Technol. Nara Jpn
関連論文
- 21aPS-95 斜入射スパッタ法によるPbTiO_3の自己組織化ナノ結晶アレイの作製と評価(21aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 擬三次元シミュレーションによる多結晶シリコン薄膜太陽電池の動作解析(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 単結晶シリコン薄膜太陽電池のシミュレーショシによる最適化設計(半導体Si及び関連電子材料評価)
- ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 : 金属ナノ粒子による伝導パスの制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- グリーンレーザによる積層シリコンの結晶化--次世代ディスプレイの実現を目指して (特集 レーザ・光学系と大型液晶パネルプロセス)
- NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- 直線偏光Nd:YAGレーザーによる規則性配列微細Siドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- Periodic Grain-Boundary Formation in a Poly-Si Thin Film Crystallized by Linearly Polarized Nd: YAG Pulse Laser with an Oblique Incident Angle
- Analysis on Operation of a F-FET Memory With an Intermediate Electrode
- Increase of Dielectric Constant of an Epitaxial (100) Yttria-Stabilized Zirconia Film on (100) Si Substrate Deposited by Reactive Sputtering in the Metallic Mode : Surfaces, Interfaces, and Films
- Alignment of Grain Boundary in a Si film Crystallized by a Linearly Polarized Laser Beam on a Glass Substrate
- HF+ヒドラジン溶液処理をしたエピタキシャル(100)ZrN/(100)Si構造上への(100)Ir薄膜の作製
- 高コヒーレント直線偏光パルスレーザービームによる結晶化Si薄膜の粒界位置制御
- Low Temperature Heteroepitaxial Growth of a New Phase Lead Zirconate Titanate Film on Si Substrate with an Epitaxial(ZrO_2)_(Y_2O_3)_x Buffer Layer
- エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
- エピタキシャルZrN薄膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
- (100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性
- (100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性
- スパッタ法によるシリコン基板上へのPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- Material Properties of Heteroepitaxial Ir and Pb (Zr_xTi_) O_3 Films on (100) (ZrO_2)_(Y_2O_3)_x/(100) Si Structure Prepared by Sputtering
- 反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- Characterization of Pb(Zr_xTi_)O_3 Thin Film on Silicon Substrate with Heteroepitaxial Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Buffer Layer
- 低温ポリシリコンTFTにおけるホットキャリア効果
- 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
- 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
- Investigation of Near-Interface Traps Generated by NO Direct Oxidation in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures
- Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
- 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
- Low Voltage Saturation of Ob(Zr_xTi_O_3 Films on(100)Ir/(100)(ZrO_2)_(Y_2O_3)_x/(100)Si Substrate Structure Prepared by Reactive Sputtering
- Determination of Material Thermal Properties Using Photoacoustic Signals Detected by a Transparent Transducer
- Analysis of Pyroelectric Signal in Photoacoustic Spectroscopy Using a Transparent Transducer
- Influence of Piezoelectric and Pyroelectric Effects on Signal of PAS Using a Transparent Transducer : Photoacoustic Spectroscopy and Ultrasonic Imaging
- Theoretical Analysis of Photoacoustic Signal on PAS Using a Transparent Transducer : Photoacoustic Effect and Spectroscopy
- Consideration on PA Signals of Multilayer Structure Measured by PAS Using Transparent Transducer : Photoacoustic Spectroscopy
- High-Critical-Current-Density Epitaxial Films of SmBa_2Cu_3O_ in High Fields
- Reduction of Surface Resistance of ErBa_2Cu_3O_ Films by BaZrO_3 Nano-Particle Inclusion
- Tri-axial Grain Orientation of Y_2Ba_4Cu_7O_y Achieved by the Magneto-science Method
- Rare-Earth-Dependent Magnetic Anisotropy in REBa_2Cu_3O_y
- Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 励起活性種を用いた極薄ゲート酸窒化膜の低温形成
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- SC-8-12 Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors under Dynamic Stress
- Reliability Analysis of Ultra Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
- Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films by Solid Green Laser Annealing
- Evaluation of Crystallinity in 4H-SiC{0001} Epilayers Thermally Etched by Chlorine and Oxygen System
- Improvement of Reliability in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors by Water Vapor Annealing
- Floating Nanodot Gate Memory Devices Based on Biomineralized Inorganic Nanodot Array as a Storage Node
- Analysis of Photoelectrochemical Processes in α-SiC Substrates with Atomically Flat Surfaces
- Electron Injection into Si Nanodot Fabricated by Side-Wall Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
- Fabrication of Anodic Oxidation Films on 4H-SiC at Room Temperature Using HNO_3-Based Electrolytes
- Role of Hydrogen in Dry Etching of Silicon Carbide Using Inductively and Capacitively Coupled Plasma
- High pressure water vapor annealing for improving HfSiO dielectrics properties
- Degradation in Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors Depending on Grain Boundaries
- Moire Fringe Analysis of BaZrO_3 Nanorods in ErBa_2Cu_3O_ Films
- Critical Current Density Enhancement around a Matching Field in ErBa_2Cu_3O_ Films with BaZrO_3 Nano-Rods
- Dislocation Density and Critical Current Density of Sm_Ba_Cu_3O_y Films Prepared by Various Fabrication Processes
- c-Axis-Correlated Vortex Pinning Center Induced by Dilute Co-doping in Pulsed-Laser-Deposition-ErBa_2Cu_3O_y Films
- Enhancement of Flux-Pinning in Epitaxial Sm_Ba_Cu_3O_y Films by Introduction of Low-T_c Nanoparticles
- High-Critical-Current-Density SmBa_2Cu_3O_ Films Induced by Surface Nanoparticle
- Hetero-Epitaxial Growth of CeO_2 Films on MgO Substrates
- Critical Current Control in YBa_2Cu_3O_ Films Using Artificial Pinning Centers
- Anisotropy and Lorentz-Force Dependences of Critical Current Density in C-Axis-Oriented YBa_2Cu_3O_ Thin Film
- Enhancement of Critical Current Density in ErBa_2Cu_3O_y Thin Films by Post-Annealing
- Evaluation of Multilayer Structure and Depth Profile by PAS Using a Transparent Transducer : Photoacoustic Spectroscopy
- Evaluation of Ion Implantation into Silicon Photoacoustic Spectroscopy using Transparent Transducer Method : Photoacoustic Spectroscopy
- デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
- デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
- Improving High-κ Gate Dielectric Properties by High-Pressure Water Vapor Annealing
- Thickness Dependence of Material Properties of Epitaxial Pb(Zr_xTi_)O_3 Films on Ir/(100) (ZrO_2)_(Y_2O_3)_x(100)Si Structures
- New Series of Nickel-Based Pnictide Oxide Superconductors (Ni_2Pn_2)(Sr_4Sc_2O_6) (Pn = P, As)
- Dramatic Change in Magnetization Behaviors of La_Sr_Mn_2O_ by Control of Excess Oxygen
- Thermoelectric Performance of Magnetically c-Axis Aligned Ca-based Cobaltites
- Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of HfO_2 by Alternating Supply of Tetrakis-Diethylamino-Hafnium and Remote-Plasma Oxygen
- Metalorganic Chemical Vapor Deposition of HfO_2 Films through the Alternating Supply of Tetrakis(1-methoxy-2-methyl-2-propoxy)-Hafnium and Remote-Plasma Oxygen
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- Effect of Nitrogen on Electrical and Physical Properties of Polyatomic Layer Chemical Vapor Deposition HfSi_xO_y Gate Dielectrics
- Atomic-scale Characterization and Control of the HfO_2/Si(001) Interface
- 7p-YH-1 3C-SiC/Siヘテロエピタキシー界面構造の原子層レベル制御
- p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
- 次世代情報端末「システムオンパネル」の実現をめざして (特集 ナノ・ケモテクノロジーへの招待--奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科)
- ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)
- ダイナミックストレスによる低温ポリシリコンTFTの信頼性評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー