Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
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概要
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G0LD(Gate Overlapped LDD)構造をもつ低温ポリシリコンn-ch TFTを作製し、初期特性及び、DCストレス信頼性をデバイスシミュレーターにより詳細に解析した。GOLDTFTはゲート電極による寄生抵抗の低減効果によってSingle Drain TFTと同等の高性能を実現するとともに、LDDTFTよりも高い信頼性を有する。これはホットキャリアが発生しやすいVd>Vgとなるバイアス印加時に、GOLDTFT特有のチャネル垂直方向の電界がホットキャリアストレスによる画定電荷やトラップの影響を低減させることができるためであると考えた。これはスクリーニング効果とは異なる考え方である。性能と信頼性の両立を可能にするGOLDTFTは高性能回路動作用デバイスに適している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-09
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
中川 未浩
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
河北 哲郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
河北 哲郎
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
中川 未浩
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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