溶液系エレクトロケミルミネッセント素子の高輝度化(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
従来,溶液系エレクトロケミルミネッセント素子(solution electrochemiluminescent,SECL)は低輝度という欠点をもっていたが,今回,SECLの低輝度を改善するためにイオン伝導を向上させることを検討した。SECL素子の構造は,[透明電極/発光溶液/透明電極]の簡単な構造である.本研究素子の溶液は混合溶媒としてℴジクロロベンゼン/アセトニトリル=2/1(vol/vol)を用いた。更に発光分子としてはルブレンを用い,イオン伝導を向上させる物質として1,2-ジフェノキシエタン(DPE)を用いた.この素子では8V印加時に183cd/m^2の黄色発光が得られ,このときの発光効率は1.5cd/Aであった.一方で,DPEを添加しない場合は0.3cd/m^2(8V)であり,ルブレン陽イオンの伝導を向上させることにより600倍の輝度向上が見られた.更に混合溶媒としてℴジクロロベンゼン/トルエン=2/1を用いた場合は1,000cd/m^2(80V)の高輝度を得ることができた.SECL素子は簡単な構造であり発光部位が透明であることから,シースルーディスプレイのようなユニークなデバイスが期待できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-01
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
柴田 賢一
三洋電機(株)研究開発本部アドバンストエナジー研究所
-
柴田 賢一
三洋電機株式会社 ニューマテリアル研究所
-
浜田 祐次
三洋電機(株)マテリアル・デバイス技術開発センターbu
-
浜田 祐次
三洋電機株式会社ニューマテリアル研究所
-
浜田 裕次
三洋電機
-
浜田 祐次
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
西村 和樹
三洋電機株式会社ニューマテリアル研究所
-
柴田 賢一
三洋電機株式会社・機能材料研究所
-
西村 和樹
三洋電機株式会社 ニューマテリアル研究所
関連論文
- エレクトロルミネッセンス撮像法による太陽電池用多結晶シリコン基板の評価(太陽電池材料の結晶工学:結晶成長を中心に)
- LiTaO_3とLiNbO_3のの第2漏洩弾性表面波を用いた1.9GHz帯SAWデバイス
- OC4 LiTiO_3上の第2漏洩弾性表面波を用いた1.9GHz帯SAWデバイス(超音波デバイス)
- PB-13 AlN薄膜を用いた高周波SAWデバイス(P.ポスターセッションB-概要講演・展示)
- 擬三次元シミュレーションによる多結晶シリコン薄膜太陽電池の動作解析(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 単結晶シリコン薄膜太陽電池のシミュレーショシによる最適化設計(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 細線配列格子における双極子定在波
- 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 (シリコン材料・デバイス)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- nチャネル縦型有機トランジスタの作製及び特性評価(有機材料,一般)
- CI-1-7 有機発光体・導電体の目指す低消費電力化(CI-1.環境・エネルギー問題の解決に貢献する有機材料〜有機エレクトロニクスからの提案,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- グリーンレーザによる積層シリコンの結晶化--次世代ディスプレイの実現を目指して (特集 レーザ・光学系と大型液晶パネルプロセス)
- NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- フェリチンタンパクを利用したシリコン薄膜のバイオ結晶化法 (オプトロニクス 石油代替・ナノバイオ材料の可能性,「薄く」,「しなやか」な物性が得られる--FPD用部材における「バイオマス資源・タンパク質材料」の応用・採用の技術トレンド)
- 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン太陽電池用SiN_xパッシベーション膜におけるNH_3プラズマ界面改質効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ナノテクMOVEMENTS(VOL.11)タンパク超分子を用いたシリコン薄膜の低温結晶化
- 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- Ni内包フェリチンタンパク質を用いた多結晶シリコンの大粒径化(シリコン関連材料の作製と評価)
- フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 技術トピック Niナノ粒子を内包したフェリチンのシリコン非晶質薄膜の結晶化
- シリコンナノ界面制御による光電極動作の理論解析 (特集 太陽エネルギー変換の最近動向)
- Material Report R&D バイオを用いたプロセス:バイオナノコアによるアモルファスシリコン膜の結晶化
- シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- 低温ポリシリコンTFTにおけるホットキャリア効果
- 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
- 低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
- 溶液系エレクトロケミルミネッセント素子の高輝度化(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
- ルブレンを発光材料に用いた溶液系ECL素子の高輝度化 : イオン伝導補助ドーパントを用いたキャリア輸送向上の検討(表示記録用有機材料およびデバイス)
- ルブレンを発光材料に用いた溶液系ECL素子の高輝度化 : イオン伝導補助ドーパントを用いたキャリア輸送向上の検討
- ルブレンを発光材料に用いた溶液系ECL素子の高輝度化 : イオン伝導補助ドーパントを用いたキャリア輸送向上の検討
- 溶液系エレクトロケミルミネッセント(SECL)素子の高輝度化
- Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
- 電子線起電流法による薄膜多結晶Si太陽電池の接合評価
- プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性
- 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
- フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着(半導体Si及び関連材料・評価)
- フェリチンタンパク質を用いたナノデバイスの作製
- ナノカラム作製のための金属タンパク質の配列制御
- Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 励起活性種を用いた極薄ゲート酸窒化膜の低温形成
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
- SC-8-12 Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors under Dynamic Stress
- 水素ラジカル励起と高密度・低ポテンシャルプラズマを用いた低温ポリシリコン成膜技術 : 成長初期段階の結晶化シリコン成膜・評価技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- Ga_2O_3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
- デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
- Si量子ドットを用いたフローティングゲートメモリ : PECVD法を用いたSiナノドットへの電子注入(半導体Si及び関連材料・評価)
- シリコン界面ナノ制御による光電極動作のシミュレーション(半導体Si及び関連材料・評価)
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- 窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過渡放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過度放電電流法による膜内電子トラップの解析
- 酸素励起活性種を用いた高品質SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種を用いた高品質極薄SiO_2膜の形成とMOSFETへの応用(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第1回))
- 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
- ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成
- Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaP層のひずみ評価
- 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング(シリコン関連材料の作製と評価)
- 化学的気相堆積法による薄膜結晶系シリコン太陽電池の開発 (特集 高効率・低コスト薄膜太陽電池の開発)
- 超薄膜単結晶シリコン太陽電池の新展開 (特集:新しいエネルギー--太陽電池を中心に)
- p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
- 次世代情報端末「システムオンパネル」の実現をめざして (特集 ナノ・ケモテクノロジーへの招待--奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科)
- 結晶系シリコン太陽電池の将来展望と新規作製技術(次世代太陽電池)
- SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 結晶系シリコン太陽電池の将来展望と新規作製技術
- 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング(シリコン関連材料の作製と評価)
- 4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板-ドーパント間の界面制御による電子状態の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- レーザードーピングで形成したエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の深さ制御とその太陽電池特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化(シリコン関連材料の作製と評価)
- レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化(シリコン関連材料の作製と評価)
- POCl_3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)