Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
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概要
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低コストかつ高効率を持つpoly-Si薄膜太陽電池を実現するために、高品質なpoly-Si膜が必要不可欠である。本研究では、Aluminum induced crystallization(AIC)法を利用することで高品質なpoly-Si薄膜の作製を試みた。AIC法は、AlとSiの共晶点温度(577℃)以下の短時間の熱処理によってアモルファスシリコンを結晶化させる方法である。最初にAIC法によりpoly-Si薄膜の作製を行い、次にこのAIC法を用いて作製したAIC poly-Si膜をseed層として利用し、その膜上にAtmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD)poly-Si薄膜の堆積を行った。作製したpoly-Si薄膜の結晶性および電気的特性の評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
中村 敦
奈良先端科学技術大学院 大学物質創成科学研究科
-
石河 泰明
奈良先端科学技術大学院大学
-
石河 泰明
奈良先端科技大:CREST-JST
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