結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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太陽電池の空間的な欠陥評価法としてエレクトロルミネッセンス(EL)イメージング法が注目されている。順方向バイアス印加時のEL発光は、拡散長及び、ブレイクダウン機構に密接に関連している。逆方向バイアス印加時のEL発光は、素子特性の劣化や発熱をもたらすシャント(漏れ電流)起源の発見技法として期待されている。本研究ではフォトリソグラフィを用いて小面積に分割した素子を用い、逆方向バイアスEL発光の有無による太陽電池特性への影響について検討し、ダイオード特性が変化することを確認した。発表では、局所的な電気的特性が及ぼす素子全体の特性への影響について議論を行う。
- 2012-11-30
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
杉村 恵美
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
嶋崎 成一
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
谷 あゆみ
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
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