プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性
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概要
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SiH_2Cl_2を原料ガスとするプラズマ援用CVD法を用いて単結晶シリコン成長を行い、900〜1050℃における成長速度を調べた。プラズマ電力の増大とともに成長速度が上がる傾向を示した。プラズマ発光分析の結果、50W以下の条件ではSiCl_2およびArの発光のみが観測された。アンドープ層の電気的特性を調べた結果、プラズマ援用による成長層は従来の熱CVDによる成長層に比べて、ホール移動度にはほとんど差がないことが分かった。プラズマ援用によってp型層を成長し、測定された拡散長は20μm程度となり、薄膜太陽電池への応用が可能であることが示された。
- 1998-12-10
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京大工
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
黒部 憲一
京都大学大学院工学研究科
-
黒部 憲一
京都大学工学研究科
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