新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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SiC MOSFETで問題となっているチャネル移動度の向上を目指して、新しいチャネル構造を持った4H-SIC MOSFETの作製と特性評価を行なった.この新構造MOSFET(SC-MOSFET)では、埋め込みn-チャネルがチャネル上部のp層と本体のp領域との間に挟まれた構造となっている.ゲート酸化腹直下に適切に設計されたp層を導入することにより、多くの電子がMOS界面から離れた部分を走行でき、高い実効チャネル移動度が実現できると期待される。本研究では、4H-SiC MOSFETのチャネル構造が特性に与える影響を調べるため、通常の反転MOSFET、一般的な埋め込みチャネルMOSFET、新構造SC-MOSFETの特性を比較した。チャネル厚さ0.10μm、N_2O酸化により形成したもので、ノーマリオフ特性、実効移動度40cm^2/Vs (酸化腹中電界2.5MV/cm時)を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
海藤 淳司
京都大学工学研究科電子工学
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
木本 恒暢
京大
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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