01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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Growth of very high-quality nonpolar 4H-AlN (1120) on 4H-SiC (1120) substrate is presented. A reduction of defects such as stacking faults and threading dislocations was achieved by isopolytypical and coherent growth. Transmission electron microscopy revealed the stacking fault density to be 2×10^5cm^<-1>, and the partial and perfect threading dislocation density to be 7×10^7cm^<-2> and 1×10^7cm^<-2>, respectively.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
堀田 昌宏
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科
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