SiCホモエピタキシャル成長における面方位依存性 : 気相成長III
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概要
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Homoepitaxial growth of 4H-silicon carbide (4H-SiC) by chemical vapor deposition (CVD) is carried out on SiC (0001), (0001^^-), (112^^-0), and (11^^-00) substrates. Although the growth rate is not sensitive to the substrate orientation, clear dependencies are observed in surface morphology and impurity doping characteristics.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
山本 敏之
京都大学工学研究科電子物性工学教室
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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