XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
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概要
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- 2006-09-28
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
東脇 正高
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
三村 高志
富士通研究所
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
小野島 紀夫
NICT
-
須田 淳
京都大学
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構
-
木本 恒暢
京大
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