須田 淳 | 京都大学工学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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京都大学工学部電気電子工学科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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NICT
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カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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京都大学工学研究科電子工学専攻
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京都大学工学研究科電子工学専攻
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独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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東脇 正高
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
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登尾 正人
京都大学工学研究科電子工学専攻
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小杉 肇
京都大学工学研究科電子工学
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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甘利 浩一
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須田 淳
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京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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ローム株式会社研究開発本部
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矢野 裕司
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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平尾 太一
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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三村 高志
情報通信研究機構
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黒部 立郎
京都大学大学院工学研究科
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中野 佑紀
京大院・工
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須田 淳
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京都大学工学研究科電子工学専攻
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京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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奥田 貴史
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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三宅 裕樹
京都大学大学院工学研究科
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木本 恒暢
京都大学光・電子理工学センター
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奥田 貴史
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
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三村 高志
富士通研究所
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松波 弘之
科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都
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神崎 庸輔
京都大学工学研究科電子工学専攻
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吉岡 裕典
京都大学工学研究科電子工学専攻
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森 誠語
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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藤田 茂夫
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渡辺 直樹
京都大学
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中村 俊一
京都大学工学研究科電子工学
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河野 広明
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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海藤 淳司
京都大学工学研究科電子工学
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須田 淳
科学技術事業団さきがけ研究21
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小野島 紀夫
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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三浦 峰生
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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日吉 透
京都大学工学研究科電子工学専攻
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中村 俊一
京都大学工学研究科
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堀 勉
日立金属株式会社磁性材料研究所
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鈴木 亮太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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堀田 昌宏
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
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南園 悠一郎
京都大学工学研究科電子工学専攻
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藤田 静雄
京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター
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丹羽 弘樹
京都大学大学院工学研究科
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馮 淦
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科
著作論文
- 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
- 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10kV SiC PiNダイオード(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 3族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合 電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長