中野 佑紀 | ローム株式会社研究開発本部

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概要

• 同名の論文著者
• ローム株式会社研究開発本部の論文著者

関連著者

• 中野 佑紀

  ローム株式会社研究開発本部

• 中野 佑紀

  京大院・工

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 須田 淳

  JSTさきがけ

• 木本 恒暢

  京大院・工

• 中村 孝

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 高須 秀視

  ローム株式会社

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 長尾 勝久

  ローム株式会社研究開発本部

• 高須 秀視

  ローム株式会社研究開発本部

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 木本 恒暢

  京大

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

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著作論文

• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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