中村 亮太 | ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

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概要

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関連著者

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 中村 孝

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 高須 秀視

  ローム株式会社

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 中野 佑紀

  ローム株式会社研究開発本部

• 長尾 勝久

  ローム株式会社研究開発本部

• 高須 秀視

  ローム株式会社研究開発本部

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

• 東雲 秀司

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 柏木 勇作

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 保坂 重敏

  東京エレクトロン株式会社技術開発センター

• 浅原 浩和

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  京大院・工

• 中野 佑紀

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 箕谷 周平

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

• 中野 佑紀

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

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著作論文

• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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