高須 秀視 | ローム株式会社研究開発本部
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概要
関連著者
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中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
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高須 秀視
ローム株式会社
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中村 孝
ローム株式会社
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藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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藤森 敬和
ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部
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羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
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亀山 充隆
東北大学大学院情報科学研究科
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木村 啓明
東北大学大学院情報科学研究科
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中野 佑紀
ローム株式会社研究開発本部
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中村 亮太
ローム株式会社研究開発本部
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長尾 勝久
ローム株式会社研究開発本部
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神澤 公
ローム(株)
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中尾 雄一
ローム株式会社VLSI研究開発部
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神澤 公
ローム株式会社vlsi研究開発部
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中村 亮太
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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中野 佑紀
ローム株式会社
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羽生 貴弘
東北大学大学院情報科学研究科
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神澤 公
ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部
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中村 孝
ロームVLSI研究開発部
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中尾 雄一
ロームVLSI研究開発部
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干場 一博
ロームVLSI研究開発部
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鮫島 克己
ロームVLSI研究開発部
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神澤 公
ロームVLSI研究開発部
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高須 秀視
ロームVLSI研究開発部
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中野 佑紀
京大院・工
著作論文
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
- 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
- 強誘電体薄膜のNDRO不揮発性メモリ応用への研究