神澤 公 | ローム株式会社vlsi研究開発部

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概要

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• 同名の論文著者
• ローム株式会社vlsi研究開発部の論文著者

関連著者

• 中村 孝

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 神澤 公

  ローム(株)

• 中尾 雄一

  ローム株式会社VLSI研究開発部

• 神澤 公

  ローム株式会社vlsi研究開発部

• 高須 秀視

  ローム株式会社研究開発本部

• 高須 秀視

  ローム株式会社

• 神澤 公

  ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部

• 藤森 敬和

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 中村 孝

  ロームVLSI研究開発部

• 中尾 雄一

  ロームVLSI研究開発部

• 干場 一博

  ロームVLSI研究開発部

• 鮫島 克己

  ロームVLSI研究開発部

• 神澤 公

  ロームVLSI研究開発部

• 高須 秀視

  ロームVLSI研究開発部

• 中村 孝

  ローム(株)半導体ディバイス研究開発部

• 泉 直希

  ローム(株)

• 藤森 敬和

  ローム(株)

• 中尾 雄一

  ローム(株)

• 中村 孝

  ローム(株)

• 中村 孝

  ローム株式会社

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著作論文

• 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
• 強誘電体薄膜のNDRO不揮発性メモリ応用への研究
• Ir系電極を用いた強誘電メモリ形成技術

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