藤森 敬和 | ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

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概要

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• 同名の論文著者
• ローム株式会社半導体デバイス研究開発部の論文著者

関連著者

• 中村 孝

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 藤森 敬和

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 高須 秀視

  ローム株式会社

• 高須 秀視

  ローム株式会社研究開発本部

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 藤森 敬和

  ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所

• 亀山 充隆

  東北大学大学院情報科学研究科

• 木村 啓明

  東北大学大学院情報科学研究科

• 羽生 貴弘

  東北大学大学院情報科学研究科

• 神澤 公

  ローム(株)

• 中尾 雄一

  ローム株式会社VLSI研究開発部

• 中村 孝

  ローム(株)半導体ディバイス研究開発部

• 泉 直希

  ローム(株)

• 藤森 敬和

  ローム(株)

• 中尾 雄一

  ローム(株)

• 神澤 公

  ローム株式会社vlsi研究開発部

• 中村 孝

  ローム(株)

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著作論文

• 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
• 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
• 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
• STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
• STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
• Ir系電極を用いた強誘電メモリ形成技術

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