強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
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概要
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LSIのスタンバイ電力の低減を目的として,強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ラッチを提案する.電力供給を停止している間,ラッチされていたデータは強誘電体の残留分極として不揮発に保存する.シミュレーションと試作したテストチップの評価から,最適な動作シーケンス,不揮発データの保持特性,ラッチの伝播遅延について評価する.これにより,通常のCMOSラッチとほぼ同面積,同速度で不揮発性を付加できることを示す.また,スケーリングの可能性についても考察を行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-05
著者
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中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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高須 秀視
ローム株式会社
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高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
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藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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中村 孝
ローム株式会社
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藤森 敬和
ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部
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