CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は次世代太陽電池材料として優れた性能を持つ化合物半導体CuInGaSe2(CIGS)薄膜を使った新しいCMOSイメージセンサを開発した。このイメージセンサは量子効率及び感応波長帯域という観点から通常のSi CMOSイメージセンサよりも優れた特性を示す。これまで暗電流が大きい等の問題からCIGSのイメージセンサへの応用は困難と考えられてきた。我々は、CIGS薄膜形成技術を始めとする太陽電池技術と微細加工技術などのLSI技術を融合することにより、イメージセンサ実現に至った。本イメージセンサは有効画素数352×288画素(約10万画素)及び640×480画素(30万画素)で画素ピッチ10μm、400〜1300nmの広帯域で高い感度を持っている。
- 2009-01-19
著者
-
松島 理
ローム株式会社
-
宮崎 憲一
ローム株式会社
-
高岡 将樹
ローム株式会社
-
前川 拓滋
ローム株式会社
-
白神 弘章
ローム株式会社
-
関口 大志
ローム株式会社
-
淵上 貴昭
ローム株式会社
-
守分 政人
ローム株式会社
-
高須 秀視
ローム株式会社
-
石塚 尚吾
産業技術総合研究所
-
櫻井 啓一郎
産業技術総合研究所
-
山田 昭政
産業技術総合研究所
-
仁木 栄
産業技術総合研究所
-
山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
高須 秀視
ローム
-
仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
石塚 尚吾
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
関連論文
- ZnO系混晶材料を用いた透明導電膜の開発
- 26aXD-5 ZnO 2次元電子系のサイクロトロン共鳴(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望
- 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
- 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
- PZT薄膜強誘電体メモリ(FRAM)
- 18pZB-9 MBE成長Zn_Mg_xO/ZnO/sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- ワイドギャップCIGS太陽電池の高効率化技術
- 固体物理の応用 カルコパイライト系薄膜太陽電池
- Cu(In_Ga_x)Se_2系薄膜太陽電池の現状と今後の課題
- カルコゲナイド系太陽電池
- カルコゲナイド系太陽電池 (太陽電池技術の進展)
- 酸化亜鉛透明導電膜の高品質化とバンドエンジニアリング
- ラジカルソースMBEによるSi基板上ZnO薄膜の作製
- 半導体グレードの酸化物単結晶薄膜
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- CulnSe_2薄膜の成長と物性
- p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 新材料部会講演 CIGS系太陽電池開発最前線
- Strain-Induced Diffusion in Heteroepitaxially grown CuInSe2 on GaAs substrates (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--結晶構造)
- 25aWQ-11 ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における磁気光学測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- ZnO系エピタキシャル薄膜の高品質化とヘテロ接合
- 酸化亜鉛薄膜のデバイスへの応用 (特集 酸化亜鉛の新展開(2))
- 酸化亜鉛系薄膜の高品質化とデバイスへの応用 (特集 可能性広がる酸化亜鉛--実用化に向けた開発動向を探る)
- 強誘導体メモリの読出し応答解析
- 強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用
- 強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用
- 産総研におけるCIGS太陽電池の産業化に向けた研究開発 (特集 化合物薄膜太陽電池--CIGS太陽電池の開発の現状)
- パートナーシップにおける質の変化とそのマネジメント : 最も遅く研究に着手しても, 最も早く製品化するには(「マネジメントにおける質(Quality)の変化・拡大-21世紀の管理技術の体系化をめざして-」)
- 酸化亜鉛系透明導電膜
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- 分子線エピタキシ-成長したCuGaSe2薄膜中の浅い準位のフォトルミネッセンスによる評価
- 多元化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長における表面制御--表面組成・歪と成長機構 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (界面形成と結晶成長)
- MBE成長したCuGaSe2膜のバンド端フォトルミネッセンス (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--光物性)
- CuGaSe2膜のMBE成長 (特集:カルコパイライト半導体) -- (薄膜成長)
- InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
- InAs成長に於けるGaAs基板画方位依存性
- CIGS太陽電池の現状と将来展望
- 酸化亜鉛系透明導電膜の開発 (特集 第25回テクノフェスタ)
- 産総研におけるCIGS太陽電池の産業化に向けた研究開発