強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(<特集>システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
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概要
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本論文では,強誘電体デバイスを用いて演算機能を実現し,演算機能と記憶機能をデバイスレベルで一体化することにより,高並列演算システムをコンパクトに実現するロジックインメモリVLSIを提案する.強誘電体キャパシタの両端電極に二つの2値入力電圧を印加し,その電位差を用いて残留分極状態を設定することにより,論理演算機能と記憶機能を同時に実現できる.本提案回路を用いることにより記憶素子の面積オーバヘッドを大幅に削減できるため,ゲートレベルパイプラインVLSIを構成した場合,同等機能の2値CMOS実現と比較して高性能化か達成できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-01
著者
-
中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
-
羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
-
高須 秀視
ローム株式会社
-
亀山 充隆
東北大学大学院情報科学研究科
-
木村 啓明
東北大学大学院情報科学研究科
-
高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
-
藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
-
中村 孝
ローム株式会社
-
藤森 敬和
ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部
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