TMRロジックに基づくビット並列大小比較CAMの構成と評価(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
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概要
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MRAMに用いられるトンネル磁気抵抗効果(TMR)素子が可変抵抗素子と見なせることに着目し, これをトランジスタと直並列接続することで, 記憶機能と論理機能をコンパクトに一体化させる新しい不揮発性ロジックインメモリ回路, すなわちTMRロジック回路が構成できることを示す.さらにTMRロジックの応用例として, データベースやルーターなど様々な分野で用いられている連想メモリ(CAM)を構成する.CAMは各記憶素子に論理演算回路が付加した構造であり, TMRロジックが有効に活用でき, 同等機能のCMOS実現と比較して高性能化・コンパクト化が達成できることを述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-21
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