C-12-12 流体解析用格子ガスセルラアレーVLSIのFPGA実現(C-12.集積回路B(ディジタル),一般講演)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
リンク故障リカバリ機能を有する多値非同期転送方式 (ディペンダブルコンピューティング)
-
TMRデバイスを用いたしきい値変動補償を有する電流モード多値回路の構成(VLSIシステム)
-
高信頼オンチップ非同期データ転送技術に関する一検討(高信頼化,2009年並列/分散/協調処理に関する『仙台』サマー・ワークショップ(SWoPP仙台2009))
-
多値2線符号化に基づく高性能非同期データ転送VLSI(システムLSIの応用と要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
ソース結合形論理に基づく多値ドミノ集積回路の構成
-
リアクティブ遅延モデルに基づく高精度非同期ネットワークオンチップシミュレーション手法(ディペンダブルシステム,ディペンダブルコンピューティングシステム及び一般)
-
Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
-
C-12-70 不揮発性ルックアップテーブル回路とその高機能化(C-12.集積回路,一般セッション)
-
A-1-44 Stochastic演算に基づく完全並列型LDPCデコーダの構成(A-1.回路とシステム,一般セッション)
-
リアクティブ遅延モデルに基づく高精度非同期ネットワークオンチップシミュレーション手法 (コンピュータシステム)
-
C-12-8 多値電流モード非同期データ転送方式に基づくLDPCデコーダLSIの実現(C-12.集積回路B(ディジタル),一般講演)
-
C-6-10 液晶を用いた磁気光学効果測定における測定時間の短縮化(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
C-12-12 流体解析用格子ガスセルラアレーVLSIのFPGA実現(C-12.集積回路B(ディジタル),一般講演)
-
EB直描回折格子を用いたDFBレーザの発振波長制御
-
強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
-
強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
-
強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
-
パネル討論 : アナログ, アナ・ディジLSIの将来像
-
リアクティブ遅延モデルに基づく高精度非同期ネットワークオンチップシミュレーション手法(ディペンダブルシステム,ディペンダブルコンピューティングシステム及び一般)
-
依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
-
リンク故障リカバリ機能を有する多値非同期転送方式(高信頼化,2010年並列/分散/協調処理に関する『金沢』サマー・ワークショップSWoPP2010)
-
C-12-37 MTJ素子を用いた高密度不揮発性2値CAMの構成(C-12.集積回路,一般セッション)
-
Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
-
TMRロジックに基づくルックアップテーブル回路とその瞬時復帰可能FPGAへの応用(レーザ・量子エレクトロニクス)
-
非同期式回路に基づく耐劣化故障性実現に関する考察(ディペンダブルコンピューティングシステム及び一般)
-
非同期式回路に基づく耐劣化故障性実現に関する考察(ディペンダブルコンピューティングシステム及び一般)
-
TMRロジックとその応用
-
トンネル磁気抵抗デバイスによる論理集積回路 : 不揮発性が拓く次世代ロジックLSIパラダイム
-
非同期式回路のFPGA実現とその評価(回路・設計手法)
-
C-12-4 電波モード多値回路の信頼性評価(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),一般講演)
-
ソース結合形論理に基づく多値ドミノ集積回路の構成
-
ソース結合形論理に基づく多値ドミノ集積回路の構成
-
多値2線符号化に基づく高性能非同期データ転送VLSI(システムLSIの応用と要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
多値2線符号化に基づく高性能非同期データ転送VLSI(システムLSIの応用と要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
多値2線符号化に基づく高性能非同期データ転送VLSI(システムLSIの応用と要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
多値2線符号化に基づく高性能非同期データ転送VLSI
-
双方向同時制御に基づく非同期データ転送方式とそのVLSI実現(集積エレクトロニクス)
-
SC-11-12 電流モード制御信号多重化に基づく高速非同期データ転送LSIの試作(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
-
ロボットキャリブレーション
-
差動対電流モード多値回路と高速・高信頼算術演算VLSIシステムへの応用(回格技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
-
C-12-10 非同期式チップ間リンク速度の定量的評価手法(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
-
C-007 多値1色符号に基づく非同期通信方式とそのネットワークオンチップへの応用(C分野:ハードウェア・アーキテクチャ,一般論文)
-
C-036 非同期式ネットワークオンチップの回路レベル検証技術の構築(ハードウェア・アーキテクチャ,一般論文)
-
相補形TMR/トランジスタネットワークを活用した低消費電力ロジックインメモリVLSI(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
-
SC-11-13 TMR素子を用いた低電力ロジックインメモリ回路技術(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
-
不揮発性デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
-
強誘電体ロジックインメモリアーキテクチャに基づくシステムLSIの展望
-
C-12-8 ゲートレベルパイプライン用ロジックインメモリVLSIの構成
-
C-12-20 ダイナミック記憶に基づく多値ロジックインメモリVLSI回路
-
相補形強誘電体ロジックと超並列算術演算VLSIへの応用(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
-
TMRロジックに基づくビット並列大小比較CAMの構成と評価(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
-
相補形強誘電体ロジックと超並列算術演算VLSIへの応用(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
-
TMRロジックに基づくビット並列大小比較CAMの構成と評価(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
-
相補形強誘電体ロジックと超並列算術演算VLSIへの応用(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
-
TMRロジックに基づくビット並列大小比較CAMの構成と評価(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
-
C-12-11 多値差動ロジックに基づく高性能部分積生成回路の構成(C-12. 集積回路B(ディジタル), エレクトロニクス2)
-
C-12-9 ソース結合形回路を用いた多値ロジックインメモリVLSIの構成
-
SC-11-11 基板バイアス制御に基づく低電力多値集積回路の構成(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
-
自律分散制御に基づくチップ内高速データ転送方式(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
-
自律分散制御に基づくチップ内高速データ転送方式(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
-
MTJ素子に基づく不揮発性ロジックインメモリVLSIアーキテクチャの展望
-
ソース結合形多値集積回路の高性能化と画像処理VLSIプロセッサへの応用
-
ソース結合形多値集積回路の高性能化と画像処理VLSIプロセッサへの応用
-
ソース結合形多値集積回路の高性能化と画像処理VLSIプロセッサへの応用
-
C-12-15 高性能多値電流モード集積回路の設計
-
C-12-19 ソース結合形理論に基づく多値集積回路の構成
-
C-12-21 適応的電源電圧制御に基づく低消費電力VLSIアーキテクチャ
-
ロジックインメモリアーキテクチャに基づく道路抽出用 VLSI プロセッサの構成
-
MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成 (シリコン材料・デバイス)
-
制御回路共有化に基づく非同期細粒度パワーゲーティング手法とその応用(実装技術と低消費電力化,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
-
故障検出機能を有する2色符号とその非同期双方向リンクへの応用(ディペンダブル技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
-
故障検出機能を有する2色符号とその非同期双方向リンクへの応用(ディペンダブル技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
-
制御回路共有化に基づく非同期細粒度パワーゲーティング手法とその応用(実装技術と低消費電力化,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
-
MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
-
MTJ素子を用いた高密度・低電力不揮発Logic Elementの構成(低消費電力技術,集積回路とアーキテクチャの協創〜ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦〜)
-
MTJ素子を用いた高密度・低電力不揮発 Logic Element の構成
-
制御回路共有化に基づく非同期細粒度パワーゲーティング手法とその応用
-
制御回路共有化に基づく非同期細粒度パワーゲーティング手法とその応用
-
故障検出機能を有する2色符号とその非同期双方向リンクへの応用
-
2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
-
制御情報共有化に基づく非同期細粒度パワーゲーティング技術とそのオンチップルータへの応用(集積エレクトロニクス)
-
7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
-
シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向
-
制御情報共有化に基づく非同期細粒度パワーゲーティング技術とそのオンチップルータへの応用
-
AT-1-3 MTJ素子を用いた不揮発ロジックインメモリLSIの展望(AT-1.超低消費電力システムを実現する不揮発メモリの基本と動向,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク