強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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不揮発性ロジックという新しい概念を実現する素子の提案を行う。これは、「論理状態」や「回路構成」を不揮発に記憶することで、低電力を実現し、動的に回路再構成を変更することを可能にする技術である。回路を切り換えることでLSIのコストを改善することもできる。その基本素子である不揮発性ラッチの構造と性能の評価について報告する。また、強誘電体キャバシタ自身がもつ演算機能を活用し不揮発ラッチ等の記億部で演算も行う進歩的な素子を開発した。この素子の非破壊読み出し性能と、連想メモリに適用した際の低電力化の効果を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
-
中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
-
羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
-
高須 秀視
ローム株式会社
-
亀山 充隆
東北大学大学院情報科学研究科
-
木村 啓明
東北大学大学院情報科学研究科
-
高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
-
藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
-
中村 孝
ローム株式会社
-
藤森 敬和
ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部
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