低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))

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概要

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エネルギーの有効利用が重要視される中、Siパワーデバイスよりも低損失化が可能なSiCデバイスへの期待はますます高まってきている。パワーデバイスの用途の一つである車載では、一般に100A以上の大電流パワーデバイスが必要とされているが、これまでSiCデバイスでは、数+Aクラスの電流容量しか得られていなかった。本稿では、大電流化に成功したSiCトレンチMOSFETについて紹介する。4.8×4.8mm^2サイズのチップにおいて、ゲート電圧20Vにおける抵抗値は、SiC MOSFETにおいて最小値である13mΩ(2.6mΩcm^2)が得られ、単チップ300Aでのスイッチング動作にも成功した。
2010-06-23

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