「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
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概要
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近年、強誘電体薄膜の不揮発性メモリへの応用研究が非常に盛んになっている。強誘電体不揮発性メモリは主にDRAMと同様の構造を持つ1T1Cと、セル面積縮小,高速動作,非破壊読み出しを狙った1Tr型の2タイプが研究されている。我々は新電極材料Irを用いてMFMIS構造の1Tr型強誘電体メモリセルの研究を行っているので、その研究状況を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
-
高須 秀視
ローム株式会社
-
神澤 公
ローム(株)
-
神澤 公
ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部
-
高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
-
中尾 雄一
ローム株式会社VLSI研究開発部
-
神澤 公
ローム株式会社vlsi研究開発部
-
中村 孝
ローム株式会社
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