RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
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概要
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VI族ソースにRFプラズマで活性化させた酸素ラジカルを用いる、ラジカルソース分子線成長法(RS-MBE)を用いて、サファイア基板上でZnO薄膜を成長した。従来良く用いられている(0001)C面サファイア基板上でZnOを成長したときは、サファイアのC面が極性面であることに由来すると考えられる、基板表面に平行な面内で30°回転ドメイン(<112^^-0>‖<112^^-0>と<101^^-0>‖<112^^-0>)が発生しやすいが、(112^^-0)A面サファイア基板を用いることにより、この回転ドメインを抑制することができた。基板温度が高温(〜600℃)の時、ZnO成長が起こりにくいが、低温バッファ層の導入により、高温での成長が可能になった。以上の効果により、残留キャリア濃度7.6×10^<16>cm^<-3>、キャリア移動度120cm^2V^<-1>s^<-1>のアンドープZnO薄膜結晶を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
松原 浩司
(独)産業技術総合研究所
-
高須 秀視
ローム株式会社
-
山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
山田 昭政
電子技術総合研究所
-
松原 浩司
産総研
-
高須 秀視
ローム
-
岩田 拡也
産総研
-
松原 浩司
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
-
中原 健
ローム株式会社 光デバイス研究開発部
-
田辺 哲弘
ローム株式会社 光デバイス研究開発部
-
岩田 拡也
電子技術総合研究所 光技術部
-
松原 浩司
電子技術総合研究所 光技術部
-
仁木 栄
電子技術総合研究所 光技術部
-
ポール フォンス
電子技術総合研究所光技術部
-
仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
中原 健
ローム株式会社研究開発本部光デバイス研究開発センター
-
ラルフ フンガー
電子技術総合研究所光技術部
-
田辺 哲弘
ローム株式会社光デバイス研究開発部
-
松原 浩司
電子技術総合研究所
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