MBE成長したCuGaSe2膜のバンド端フォトルミネッセンス (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--光物性)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- ZnO系混晶材料を用いた透明導電膜の開発
- 26aXD-5 ZnO 2次元電子系のサイクロトロン共鳴(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- レーザーアブレーション法によるβ-FeSi_2薄膜の作製と評価
- 31p-E-2 Maximum-entropy法によるFe-Si系化合物の電子密度分布
- カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望
- 31a-Y-11 Fe-Si系化合物の作製と評価(IV)
- 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
- 30p-L-10 Fe-Si系化合物の作製と評価(II)
- Fe-Si系半導体の作製と評価
- 種々面方位基板上に成長したInAs/GaAs歪超格子の光伝導過渡応答測定
- 18pZB-9 MBE成長Zn_Mg_xO/ZnO/sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- ワイドギャップCIGS太陽電池の高効率化技術
- 固体物理の応用 カルコパイライト系薄膜太陽電池
- Cu(In_Ga_x)Se_2系薄膜太陽電池の現状と今後の課題
- カルコゲナイド系太陽電池
- カルコゲナイド系太陽電池 (太陽電池技術の進展)
- 酸化亜鉛透明導電膜の高品質化とバンドエンジニアリング
- 分子線エピタキシ-法(実験室)
- 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
- ラジカルソースMBEによるSi基板上ZnO薄膜の作製
- 半導体グレードの酸化物単結晶薄膜
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- CulnSe_2薄膜の成長と物性
- 新材料部会講演 CIGS系太陽電池開発最前線
- Strain-Induced Diffusion in Heteroepitaxially grown CuInSe2 on GaAs substrates (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--結晶構造)
- 超先端加工技術 (国際化時代の応用物理) -- (21世紀にむけての科学技術)
- 25aWQ-11 ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における磁気光学測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- ZnO系エピタキシャル薄膜の高品質化とヘテロ接合
- 酸化亜鉛薄膜のデバイスへの応用 (特集 酸化亜鉛の新展開(2))
- 酸化亜鉛系薄膜の高品質化とデバイスへの応用 (特集 可能性広がる酸化亜鉛--実用化に向けた開発動向を探る)
- 産総研におけるCIGS太陽電池の産業化に向けた研究開発 (特集 化合物薄膜太陽電池--CIGS太陽電池の開発の現状)
- ArFエキシマレ-ザ-複合熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド薄膜の気相合成の研究 (超先端加工システムの研究開発) -- (表層改質のその場計測評価)
- 新しい半導体材料高濃度イオンビーム不純物導入技術と非熱平衡材料の創製(SiGeC)
- 酸化亜鉛系透明導電膜
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- 分子線エピタキシ-成長したCuGaSe2薄膜中の浅い準位のフォトルミネッセンスによる評価
- 多元化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長における表面制御--表面組成・歪と成長機構 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (界面形成と結晶成長)
- MBE成長したCuGaSe2膜のバンド端フォトルミネッセンス (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--光物性)
- CuGaSe2膜のMBE成長 (特集:カルコパイライト半導体) -- (薄膜成長)
- InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
- InAs成長に於けるGaAs基板画方位依存性
- CIGS太陽電池の現状と将来展望
- Sn+をイオン注入したGaAsに対するパルス紫外線レ-ザ-の照射効果に関する研究 (超先端加工システムの研究開発) -- (表層改質のその場計測評価)
- 酸化亜鉛系透明導電膜の開発 (特集 第25回テクノフェスタ)
- 産総研におけるCIGS太陽電池の産業化に向けた研究開発
- 固体物理の応用 β-FeSi2の新しい物性と応用
- 環境半導体とは? (〈特集〉環境半導体)
- 〔高圧ガス〕用語解説--環境半導体
- べータ鉄シリサイド (β-FeSi_2)-環境半導体
- 半導体への粒子ビ-ム技術の応用 (粒子ビ-ムの応用技術)
- P.D.Townsend, J.C.Kelly and N.E.W.Hartley偏, Ion Implantation, Sputtering and Their Applications, Academic Press, London and New York, 1976, ix+333ページ, 23.5×16cm, 8,360円.
- 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
- 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動