仁木 栄 | 産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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概要
関連著者
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仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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松原 浩司
産総研
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松原 浩司
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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石塚 尚吾
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
松原 浩司
(独)産業技術総合研究所
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柴田 肇
電総研
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仁木 栄
産業技術総合研究所
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反保 衆志
産総研
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柴田 肇
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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反保 衆志
産業技術総合研究所
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山田 昭政
産業技術総合研究所
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柴田 肇
産総研
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柴田 肇
(独)産業技術総合研究所
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石塚 尚吾
産業技術総合研究所
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櫻井 啓一郎
産業技術総合研究所
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岩田 拡也
産総研
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高須 秀視
ローム株式会社
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山田 昭政
電子技術総合研究所
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フォンス ポール
産業技術総合研究所電力エネルギー研究部門薄膜太陽電池グループ
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Fons P
産業技術総合研
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高須 秀視
ローム
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仁木 栄
電子技術総合研究所 光技術部
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中原 健
ローム株式会社研究開発本部光デバイス研究開発センター
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牧田 雄之助
電総研
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仁木 栄
産総研
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小牧 弘典
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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寺田 教男
鹿児島大学院理工
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柴田 肇
産総研エレクトロニクス
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寺田 教男
鹿児島大学大学院・理工学研究科
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小牧 弘典
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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岩田 拡也
産業技術総合研究所
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反保 衆志
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター
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中原 健
ローム株式会社 光デバイス研究開発部
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柴田 肇
産業技術総合研究所
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寺田 教男
鹿児島大学
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高増 正
物材機構
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反保 衆志
(独)産業技術総合研究所
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仁木 栄
(独)産業技術総合研究所
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今中 康貴
物材機構
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工藤 一浩
千葉大学工学部
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田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
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田中 國昭
千葉大学工学部
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李 定植
千葉大学工学部
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島 隆之
千葉大工
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FONS Paul
産業技術総合研究所 光技術研究部門光エレクトロニクス材料グループ 電力エネルギー研究部門薄膜太陽電池グループ
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田辺 哲弘
ローム株式会社 光デバイス研究開発部
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岩田 拡也
電子技術総合研究所 光技術部
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松原 浩司
電子技術総合研究所 光技術部
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Fons P
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. (aist) Ibaraki Jpn
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今中 康貴
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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高増 正
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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牧田 雄之助
電子技術総合研究所 光技術部
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島 隆之
千葉大学工学部
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田辺 哲弘
ローム株式会社光デバイス研究開発部
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松原 浩司
電子技術総合研究所
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牧田 雄之助
電子技術総合研究所
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竹端 寛治
物材機構
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横井 裕之
熊大自然
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前島 圭剛
(独)産業技術総合研究所
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山田 昭政
(独)産業技術総合研究所
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石塚 尚吾
(独)産業技術総合研究所
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松島 理
ローム株式会社
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宮崎 憲一
ローム株式会社
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高岡 将樹
ローム株式会社
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前川 拓滋
ローム株式会社
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白神 弘章
ローム株式会社
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関口 大志
ローム株式会社
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淵上 貴昭
ローム株式会社
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守分 政人
ローム株式会社
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横井 裕之
熊大院自然
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黒田 規敬
熊大院自然
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大木 康太郎
鹿児島大学大学院理工学研究科
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横井 裕之
産総研
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吉山 孝志
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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水越 一路
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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Fons P
Optoelectronic Materials And Devices Group Photonics Research Institute National Institute Of Advanc
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Fons P
電子技術総合研究所光技術部
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フォンス ポール
電子技術総合研究所
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津川 晃一
熊大院自然
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熊谷 雄児
熊大院自然
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竹端 寛治
物材機構ナノマテ研
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フォンス ポール
産総研
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山田 昭政
産総研
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中原 健
ローム
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中原 健
ローム(株) 半導体研究開発本部 光デバイス研究開発部
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高須 秀視
ローム(株) 取締役 半導体研究開発本部
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フンガー ラルフ
電子技術総合研究所 光技術部
-
FONS Paul
電子技術総合研究所光技術部
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ポール フォンス
電子技術総合研究所光技術部
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ラルフ フンガー
電子技術総合研究所光技術部
-
高須 秀視
ローム(株)
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上川 由紀子
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
-
古江 重紀
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
著作論文
- ZnO系混晶材料を用いた透明導電膜の開発
- 26aXD-5 ZnO 2次元電子系のサイクロトロン共鳴(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- カルコパイライト系薄膜太陽電池の開発の現状と将来展望
- 18pZB-9 MBE成長Zn_Mg_xO/ZnO/sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- ワイドギャップCIGS太陽電池の高効率化技術
- 固体物理の応用 カルコパイライト系薄膜太陽電池
- Cu(In_Ga_x)Se_2系薄膜太陽電池の現状と今後の課題
- カルコゲナイド系太陽電池
- カルコゲナイド系太陽電池 (太陽電池技術の進展)
- 酸化亜鉛透明導電膜の高品質化とバンドエンジニアリング
- ラジカルソースMBEによるSi基板上ZnO薄膜の作製
- 半導体グレードの酸化物単結晶薄膜
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- CulnSe_2薄膜の成長と物性
- 新材料部会講演 CIGS系太陽電池開発最前線
- Strain-Induced Diffusion in Heteroepitaxially grown CuInSe2 on GaAs substrates (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--結晶構造)
- 25aWQ-11 ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における磁気光学測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- ZnO系エピタキシャル薄膜の高品質化とヘテロ接合
- 酸化亜鉛薄膜のデバイスへの応用 (特集 酸化亜鉛の新展開(2))
- 酸化亜鉛系薄膜の高品質化とデバイスへの応用 (特集 可能性広がる酸化亜鉛--実用化に向けた開発動向を探る)
- 産総研におけるCIGS太陽電池の産業化に向けた研究開発 (特集 化合物薄膜太陽電池--CIGS太陽電池の開発の現状)
- 酸化亜鉛系透明導電膜
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- 分子線エピタキシ-成長したCuGaSe2薄膜中の浅い準位のフォトルミネッセンスによる評価
- 多元化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長における表面制御--表面組成・歪と成長機構 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (界面形成と結晶成長)
- MBE成長したCuGaSe2膜のバンド端フォトルミネッセンス (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--光物性)
- CuGaSe2膜のMBE成長 (特集:カルコパイライト半導体) -- (薄膜成長)
- InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
- InAs成長に於けるGaAs基板画方位依存性
- CIGS太陽電池の現状と将来展望
- 酸化亜鉛系透明導電膜の開発 (特集 第25回テクノフェスタ)
- 産総研におけるCIGS太陽電池の産業化に向けた研究開発