牧田 雄之助 | 電総研

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概要

• 同名の論文著者
• 電総研の論文著者

関連著者

• 牧田 雄之助

  電総研

• 塚本 桓世

  SPring-8

• 柴田 肇

  電総研

• 小原 明

  電総研

• 桜木 史朗

  ユニオンマテリアル(株)

• 小林 直人

  電総研

• 塚本 桓世

  東理大理

• 山田 昭政

  産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム

• 掛本 博文

  東理大理

• 仁木 栄

  産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム

• 稲垣 勝哉

  電総研

• 八百 隆文

  電総研

• 山田 昭政

  電子技術総合研究所

• 八百 隆文

  広島大工

• 前川 稠

  電総研

• 島 隆之

  千葉大工

• 牧田 雄之助

  電子技術総合研究所 光技術部

• 牧田 雄之助

  電子技術総合研究所

• 辛 埴

  東大物性研

• 工藤 一浩

  千葉大学工学部

• 田中 國昭

  千葉大学工学部電子機械工学科

• 塚本 恒世

  東理大理

• 田中 國昭

  千葉大学工学部

• 李 定植

  千葉大学工学部

• 和泉 富雄

  東海大学工学部

• 和泉 富雄

  東海大学総合科学技術研究所

• 和泉 富雄

  東海大学

• 仁木 栄

  電子技術総合研究所 光技術部

• 島 隆之

  千葉大学工学部

• Higuchi T

  東理大理

• 植草 新一郎

  明治大学理工学部

• 樋口 透

  東理大理

• 石井 慶信

  原研東海

• 石井 慶信

  放振協

• 末益 崇

  筑波大物理工

• 坂本 勲

  電総研

• 田上 尚男

  電総研

• 山田家 和勝

  (独)産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門

• 勝俣 裕

  (株)東芝生産技術センター

• 桜木 史郎

  ユニオンマテリアル株式会社

• 国吉 繁一

  千葉大学大学院工学研究科

• 植草 新一郎

  明治大学理工学部電気電子工学科

• 植草 新一郎

  明治大学

• 工藤 一浩

  千葉大工

• 塚本 桓世

  東京理科大理

• 塚本 桓世

  東京理科大学理学部応用物理学科

• 塚本 桓世

  東京理科大学大学院理学研究科

• 掛本 博文

  電子技総合研究所

• 牧田 雄之助

  電子技総合研究所

• 木野 幸浩

  理学電機(株)

• 長谷川 文夫

  筑波大学物理工学系

• 末益 崇

  筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

• 末益 崇

  筑波大

• 掛本 博文

  東大理

• 樋口 透

  東大理

• 塚本 垣世

  東大理

• 安藤 靜敏

  東理大理

• 岡村 総一郎

  東理大理

• 蔡 育欣

  ユニオンマテリアル

• 勝俣 裕

  電総研

• 山本 栄一

  千葉大工

• 国吉 繁一

  千葉大工

• 木村 眞次

  電総研

• 田中 國昭

  千葉大工

• 柴田 肇

  電子技術総合研究所

• 山田家 和勝

  産総研

• 長谷川 文夫

  筑波大学

• 桜木 史郎

  ユニオンマテリアル(株)

• 桜木 史郎

  ユニオンマテリアル

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著作論文

• レーザーアブレーション法によるβ-FeSi_2薄膜の作製と評価
• 31p-E-2 Maximum-entropy法によるFe-Si系化合物の電子密度分布
• 31a-Y-11 Fe-Si系化合物の作製と評価(IV)
• 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
• 30p-L-10 Fe-Si系化合物の作製と評価(II)
• Fe-Si系半導体の作製と評価
• 種々面方位基板上に成長したInAs/GaAs歪超格子の光伝導過渡応答測定
• 分子線エピタキシ-法(実験室)
• 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
• 超先端加工技術 (国際化時代の応用物理) -- (21世紀にむけての科学技術)
• ArFエキシマレ-ザ-複合熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド薄膜の気相合成の研究 (超先端加工システムの研究開発) -- (表層改質のその場計測評価)
• 新しい半導体材料高濃度イオンビーム不純物導入技術と非熱平衡材料の創製(SiGeC)
• MBE成長したCuGaSe2膜のバンド端フォトルミネッセンス (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--光物性)
• CuGaSe2膜のMBE成長 (特集:カルコパイライト半導体) -- (薄膜成長)
• InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
• InAs成長に於けるGaAs基板画方位依存性
• Sn+をイオン注入したGaAsに対するパルス紫外線レ-ザ-の照射効果に関する研究 (超先端加工システムの研究開発) -- (表層改質のその場計測評価)
• 固体物理の応用 β-FeSi2の新しい物性と応用
• 環境半導体とは? (〈特集〉環境半導体)
• 〔高圧ガス〕用語解説--環境半導体
• べータ鉄シリサイド (β-FeSi_2)-環境半導体
• 半導体への粒子ビ-ム技術の応用 (粒子ビ-ムの応用技術)
• P.D.Townsend, J.C.Kelly and N.E.W.Hartley偏, Ion Implantation, Sputtering and Their Applications, Academic Press, London and New York, 1976, ix+333ページ, 23.5×16cm, 8,360円.
• 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
• 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動

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