新しい半導体材料高濃度イオンビーム不純物導入技術と非熱平衡材料の創製(SiGeC)
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概要
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酸化物超伝導体YBa2Cu3O7の基板材として幾つか新しい候補をあげ、実際に大型単結晶を育成し成膜した。Y2O3はMgOに匹敵する低い誘電率をもちSrTiO3と同じ程度の格子整合が得られた。LaGaO3とNdGaO3の混晶はYBa2Cu3O7膜の配向にあわせて面内の格子定数を設計できる。Lal-xNdxGaO3のx=0.34と0.85の混晶は、それぞれa軸配向、c軸配向のYBa2Cu3O7に適している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-19
著者
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