InAs成長に於けるGaAs基板画方位依存性
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概要
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種々面方位基板上にMBE成長したInAs, GaAsひずみ量子井戸構造の構造解析及び成長機構に対する考察をフォトルミネッセンス、X線回折測定結果から行った。表面状態をはじめとした測定結果には明らかな面方位依存性が認められ、V/III比等の成長条件によって変化する試料の面方位依存性の変化から各基板上での成長機構の同定がなされた。得られた結果は非(100)基板を利用した良好な界面を有するlayer-by-layer成長から3次元成長までを成長条件の制御により実現可能であることを示すものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
山田 昭政
電子技術総合研究所
-
李 定植
千葉大学工学部
-
牧田 雄之助
電総研
-
島 隆之
千葉大工
-
仁木 栄
電子技術総合研究所 光技術部
-
仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
牧田 雄之助
電子技術総合研究所 光技術部
-
島 隆之
千葉大学工学部
-
牧田 雄之助
電子技術総合研究所
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